金牌调解

又一超级芯片巨头IPO来了！长江存储一季度狂赚334亿超长鑫科技_我的网站

一 |     　　8月21日，国内3D NAND闪存龙头企业长江存储控股股份有限公司科创板IPO申请正式获上交所受理，标志着这家国产超级芯片巨头正式开启A股上市进程。此前7月27日，长鑫科技已在科创板上市，存储双巨头将会师科创板。    近日，国际零磁科学谷重点项目——零磁谷综合环境提升改造工程（一期）完成施工许可证核发，正式迈入实质性施工阶段。　　据上交所披露的招股书申报稿显示，长江存储本次科创板IPO保荐机构为中信证券、中信建投证券。项目预计2028年底建成。

二 | 零磁谷局部航拍。作为零磁谷重点环境提质工程，零磁谷综合环境提升改造工程（一期）提升范围北至回龙庵山，南至区界，西临浦沿路，东接火炬大道，将以城市更新重塑“科产城人”融合新图景。公园游憩服务用房为一期重点主体建筑。管理用房将全面适配零磁谷各类配套服务需求。公司拟公开发行股份数量区间为19.8亿股至24.3亿股，发行股份占发行后总股本比例为10%至12%，同时可采用超额配售选择权机制。立足公园游憩与运营保障需求，项目总建筑面积约1.5万平方米，地上建筑面积约0.8万平方米，地下建筑面积约0.7万平方米，将建设公园服务用房、游憩建筑、驿站、管理用房、公共厕所、地下室等建筑主体，室外配套工程及挡墙工程，同步配建地下人防工程。本次IPO拟募集资金总额高达330亿元，刷新科创板募资纪录，成为目前科创板史上募资体量最大的芯片IPO项目之一。　　从募投规划来看，330亿元募集资金将精准聚焦主业发展，全部用于核心技术升级与前沿研发创新。

三 | 项目预计2028年底建成。

四 | 该工程是继零磁谷街、福源河提升改造工程之后，布局零磁谷片区的又一项城市更新项目。此前开工的零磁谷街、福源河提升改造项目全长约2.12千米，围绕交通路网优化、河道生态治理、城市风貌提升三大方向一体化实施，推进道路拓宽、路口改造、河道整治、景观提质。其中208亿元将投入长江存储量产线技术升级项目，用于优化现有产线工艺、提升芯片量产良率与产能规模，夯实企业规模化生产优势；剩余122亿元将专项用于前沿技术研发项目，聚焦3D NAND闪存先进工艺迭代、新型存储芯片研发、半导体材料与设备适配等核心领域，持续缩小与国际顶尖存储企业的技术差距。

五 | 清晰的募投布局，将助力长江存储进一步巩固国内龙头地位，加速冲刺全球存储芯片第一梯队。随着多项改造工程接续落地，零磁谷片区交通条件、生态基底、公共空间功能将持续完善。　　相较于多数半导体企业持续亏损、依赖融资续命的行业现状，长江存储展现出极强的盈利能力与经营韧性，业绩表现堪称行业标杆。资料/滨江发布。招股书核心财务数据显示，2026年第一季度，公司实现营业收入470.42亿元，归母净利润高达333.79亿元，净利润接近334亿元，单季度盈利规模碾压多数A股半导体上市公司，盈利能力稳居国内存储行业首位，超长鑫科技。　　拆解业绩结构可以发现，长江存储的超高盈利并非短期市场红利所致，而是技术突破、产能释放、行业景气度与国产替代多重因素叠加的结果。

六 | 近年来，全球存储芯片行业周期逐步回暖，消费电子、服务器、人工智能、数据中心等下游市场需求持续复苏，带动3D NAND闪存产品价格稳步回升。与此同时，长江存储凭借自主研发的先进堆叠工艺、稳定的量产能力和成熟的产品矩阵，持续抢占国内替代市场，摆脱了过去国产存储芯片低端代工、利润微薄的困境，实现了量价齐升的高质量增长。

七 | 对比同赛道企业，同期长鑫存储一季度营收247.6亿元，长江存储营收规模、盈利水平均实现翻倍领先，行业龙头优势十分显著。

八 | 　　股权结构方面，长江存储目前不存在控股股东和实际控制人。

九 | 发行前，湖北长晟为第一大股东，持股26.54%；芯飞科技持股25.35%；国家集成电路产业投资基金一期、二期分别持股11.97%和11.38%；光谷产投、国芯基金分别持股9.25%和5.90%。招股书称，公司持股10%以上的四名股东持股比例较为接近，且均未超过30%，不存在单一股东能够对股东会决议产生重大影响。向上穿透后，公司主要出资主体包括湖北省国资委、武汉市国资委、东湖高新区管委会以及国家大基金一期、二期，各方共同参与公司重大经营决策，因此公司不存在实际控制人。　　依托亮眼的募资规模与业绩基本面，市场对长江存储上市估值给出了超高预期。结合本次IPO募资规模与发行股本比例测算，公司上市前整体估值约3300亿元，成为当前国内估值最高的存储芯片企业之一。长鑫科技7月27日上市首日收盘市值3.28万亿元。

十 | 长江存储上市后的市值会冲到多少，市场正在拭目以待。　　公开资料显示，长江存储成立于2016年，总部坐落于武汉，是国内唯一、全球领先的3D NAND闪存IDM（设计制造一体化）企业，集芯片设计、工艺研发、晶圆制造、封装测试、终端应用于一体，核心产品涵盖3D NAND闪存颗粒、固态硬盘、智能终端存储模组等，广泛应用于消费电子、云计算、大数据、人工智能、工业控制等核心领域。　　多年来，长江存储深耕3D NAND闪存核心技术攻坚，打破了三星、美光、铠侠等海外企业的长期垄断，成功实现先进工艺国产化突破。凭借自主研发的三维堆叠技术，公司持续迭代存储芯片工艺制程，不断提升芯片存储密度、降低生产成本，不仅填补了国产高端闪存芯片的产业空白，更推动国内存储产业链从“依赖进口”向“自主可控”跨越式转型，为我国半导体产业自主化发展筑牢了关键底座。

十一 | 　　随着人工智能、大数据、算力经济持续爆发，全球高端存储芯片需求将长期保持高位增长。业内分析人士表示，长江存储成功登陆科创板，具备多重行业与产业战略意义。一方面，超大额募资将彻底解决企业技术迭代、产能扩张的资金需求，助力企业持续攻坚先进存储技术，巩固国产替代成果，进一步提升全球市场份额；另一方面，作为存储芯片赛道的龙头标杆，长江存储上市将带动国内存储上下游产业链协同发展，拉动半导体设备、材料、封装测试等配套产业升级，完善国内存储产业生态。同时，企业优异的盈利模式，也将重塑资本市场对国产半导体企业的认知，提振硬科技板块投资信心。（文章来源：广州日报）。

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